题目一：“On the importance of modern X-ray diffraction nano-microscopy for Si microelectronics: The example of advanced 300 mm wafer systems”

时间：2017年9月12日 下午2：00-3：00

题目二：“On the importance of novel materials integration on the mainstream Si technology platform: The example of nanoheteroepitay for graphene / semiconductor nano-systems”

时间：2017年9月12日 下午3：20-4：20

地点：教二南楼314会议室

报告人：Thomas Schroeder教授

报告人简介：Thomas Schroeder教授是国际上“后摩尔”材料与器件领域的知名专家。他于2001年在德国柏林的洪堡大学获得博士学位，2002年至2004年在法国格勒诺贝尔欧洲同步辐射研究中心担任表面科学实验室的主任，2004年起在莱布尼兹微电子所IHP担任材料部门“异质外延”团队的负责人，2009年起担任IHP材料部门的主任。2012年起为德国勃兰登堡州工业大学的终身教授，并且被波兰波兹南工业大学聘为客座教授及联合实验室主任。Schroeder教授迄今为止已经发表300余篇科学论文及国际会议论文，其中在半导体及介电科学领域的同行评议论文190余篇，H因子30，i-因子85，引用次数3250余次（谷歌学术，2016年8月）；他在硅基微电子科学及应用的第三方科研经费累计超过500万欧元，他还拥有硅基微电子领域的专利15项。Schroeder教授是ISTDM（国际半导体技术和器件大会）、WoDIM（微电子介电学国际研讨会）等多个国际学术会议的学术委员，他是欧洲同步辐射中心科学委员会的委员，并且是多个欧洲、德国科研基金会（如德国科学基金会DFG、奥地利基金会SNF、法国研究署ANR、波兰国家科学中心、德国研究教育部BMBF等）的特邀评审人。Schroeder教授的研究方向在“后摩尔”硅基微电子领域，在此领域做出了突出成绩和贡献，他和他的团队不但探索在基础材料物理化学的研究，并且将研究扩展到集成电路模块，通过统计学测试来评估器件的工程参数，进而探讨创新型的概念器件在实际应用的潜力。为了突破当今对于纳米尺度的材料表征，他和团队将第三代同步辐射的研究与最前沿的多种多样的实验室技术紧密结合起来，具有鲜明的特色，在国际上也处于领先位置。